飞虹MOS管FHP20N40W在高频开关电源中的应用

11月初在深圳召开的电源行业顶级学术会议，里面把“高效高功率密度开关电源”列为八大核心议题之一，说明产品需要不断迭代升级。而产品的持续迭代升级肯定是离不开MOS管的。

针对高频开关电源在选用功率开关器件必须同时具备低损耗、快速开关和高可靠性等特点。

为此，飞虹半导体推出的FHP20N40W（TO-220封装）是一款性能卓越的N沟道增强型高压功率MOSFET。其400V的耐压、20A的电流能力以及优化的动态特性，为工程师在高频开关电源应用中，提供了一个高效、可靠并且可代换FDP20N40型号参数的国产功率器件解决方案。

01FHP20N40W在高频开关电源设计的特点

1、耐高压，适用广泛：400V的漏源击穿电压（VDSS）使其能够从容应对高频开关电源、AC-DC开关电源及逆变器等应用场景，为系统提供充裕的电压裕量，增强可靠性。

2、低导通损耗，提升能效：在VGS=10V条件下，典型导通电阻（RDS(on)）低至0.22Ω，有效降低了器件在导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体转换效率，尤其适用于连续大电流工作模式。

3、优异的开关性能，适配高频设计：极低的反向传输电容（Crss典型值3.3pF）和适中的总栅极电荷（Qg典型值40nC），共同确保了快速的开关速度，显著降低开关损耗，满足现代高频开关电源对效率与功率密度的苛刻要求。

02FHP20N40W核心参数的匹配适用

该MOS管为专为高频开关优化的N沟道增强型功率MOSFET，其核心参数如下：

VDSS: 400V

ID: 20A (TC=25℃)

RDS(on): 0.22Ω (TYP) @ VGS=10V, ID=10A

VGS(th): 2.0–4.0V

动态特性: Qg = 40nC (TYP)， Crss = 3.3pF (TYP)

封装: TO-220

FHP20N40W 以其平衡的高压、电流性能与出色的开关特性，能很好代换FDP20N40型号参数用于高频开关电源以及逆变电源等电路产品。

飞虹半导体作为国内功率器件重要供应商，不仅提供各类型MOS管、IGBT单管、三极管等标准型号，还支持定制化需求，并已实现与众多电子厂商的稳定合作。

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